光栅 测量 实验室拥有一整套制作多种全息离子刻蚀光栅所需的设备、实验条件和设计软件,以及光学测量所需要的部件和仪器

菲索激光干涉仪

PI三维位置反馈微动工作台

RF 200 离子束刻蚀机

ME-3A型多功能磁增强反应离子体刻蚀机

菲索激光干涉仪

  测量直径为100mm,激光波长为632.8nm。测量重复性:PV优于λ/50RMS优于λ/100;标准参考球面面形精度:PV值优于λ/10RMS值优于λ/50主要用于反射镜面形测量,光栅衍射波面测量。

PI三维位置反馈微动工作台

  移动范围(μm):100×100×20;分辨率(nm)X=1,Y=1,Z=0.1;重复性(nm)X=±5,Y=±5,Z=±1;线性度为0.03%;三个方向的推拉力分别为(N)X,Y:200/30Z::50/30USB或网口和计算机通讯,也能用面板直接操作。主要用于微小位移驱动,以及微小位移比对测量。

RF200 型离子束刻蚀机

采用Veeco公司的6×22cm线形射频离子源和RFN 300射频中和器,可进行氩气、氧气、三氟甲烷等气体以及混合气体的离子束或反应离子束刻蚀。配合工件的水平移动,可刻蚀较大面积的光栅样品。离子束流强度均匀性(在22cm长度上)可达5%之内。

ME-3A型多功能磁增强反应离子体刻蚀机

可作反应离子刻蚀(RIE),又可作磁增强反应离子刻蚀(MERIE),使用不同的气体,可刻蚀Si3N4Si02、磷硅玻璃、Sipoly-SiWWSiMo、石英、铌、光刻胶、聚乙酰亚胺等材料。主要用于光栅掩模的灰化,起到改善掩模形貌的作用。

氪离子激光器

  工作波长为413.1nm,最大功率为2.5W,加标准具后单频功率大于1.25W,光束直径小于2.0mm(at 1/e2),光束指向性:<0.50 μm/deg(位移)<5.0 μrad/deg(角位移);主要用于全息曝光 。

397nm半导体激光器

  工作波长为397.5nm, 自由空间传播功率为1W,通过光纤耦合后输出功率约0.6W,光谱带宽<2MHz,光束直径1.0mm;主要用于全息曝光

SuperK Extreme 超连续谱光源

         带有AOTF光谱滤波器,可产生450nm~2400nm范围的连续光波,最多可同时包含8个波长。束散角小于5mrad,光源滤波器带宽为0.5~1.85nm@430~700nm,1.8~5nm@640~1100nm。主要用于测量光栅不同波长下的角谱

XP-1高分辨率台阶仪

    最大扫描长度30 mm(线性);测量力0.03 mg~10 mg;探针曲率半径2μm;垂直分辨率1埃/10μm,15埃/100μm,62埃/400μm。最薄可测量3nm厚的膜,最大样品厚度为20mm。主要用于测量软性及精密薄膜。

TriAngle TA US 300-57电子自准直仪

        具有稳定、低热膨胀系数结构,带有低畸变光学系统及高分辨率(1392×1040像素)、低噪声CCD相机,含分划板及图像处理软件;分辨率为0.005'';精度为±0.05''/10'',±0.10''/20'',±0.25''/全程;测量范围3010×2230''(工作距离2m)。

WTX500&650型镀膜机

可采用电阻热蒸发和电子枪两种方式进行镀膜,可用于镀制各种金属膜及部分介质膜的加工生产。主要用于镀制铝膜和铬膜。

 

397nm半导体激光器

SuperK Extreme

超连续谱光源

XP-1高分辨率

台阶仪

TriAngle TA US 300-57

电子自准直仪

 

   

 

清华大学精密仪器系·光电工程研究所·光栅与测量实验室

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